Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB

Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB
Объём: 4 ГБ, Тип: DDR3 DIMM, Частота: 1333 МГц, PC-индекс: PC3-10600, CAS Latency: 9T, Тайминги: 9-9-9, Напряжение питания: 1.5 В, Количество банков: 2, Производитель микросхем: Hynix, Ёмкость микросхем: 2 Гбит
Нет предложений
Рейтинг:
 
 
Основные
Производитель
Kingston
CAS Latency
9T
Тип микросхем
256Mx8
ECC
 
Частота
1333 МГц
PC-индекс
PC3-10600
Набор
 
Напряжение питания
1.5 В
Тайминги
9-9-9
Тип
DDR3 DIMM
Конструкция
Низкопрофильный модуль
 
Габариты и вес
Объём
4 ГБ
Технические характеристики
Ёмкость микросхем
2 Гбит
Производитель микросхем
Hynix
Охлаждение
 
Число микросхем
20
Количество банков
2
Профили XMP
 
Описание и технические характеристики Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB взяты из официальных источников. Компания-производитель в большинстве случаев оставляет за собой право изменять характеристики товара без уведомления, поэтому все важные для Вас параметры уточняйте у продавца перед покупкой. Цена Kingston ValueRAM KVR1333D3E9S/4GHB сформирована автоматически из предложений продавцов.

Отзывы 0

Чтобы оставить свой отзыв Войдите или Зарегистрируйтесь