Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01)

Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01)
Объём: 4 ГБ, Напряжение питания: 1.5 В, Количество банков: 2, Число микросхем: 16, Ёмкость микросхем: 2 Гбит, Тип микросхем: 256Mx8, Частота: 1600 МГц, PC-индекс: PC3-12800, CAS Latency: 11T, Тайминги: 11-11-11
Нет предложений
Рейтинг:
 
 
Основные
Производитель
Silicon-Power
CAS Latency
11T
Тип микросхем
256Mx8
ECC
 
Частота
1600 МГц
PC-индекс
PC3-12800
Набор
 
Напряжение питания
1.5 В
Тайминги
11-11-11
Тип
DDR3 SO-DIMM
Конструкция
Низкопрофильный модуль
 
Габариты и вес
Объём
4 ГБ
Технические характеристики
Ёмкость микросхем
2 Гбит
Охлаждение
 
Число микросхем
16
Количество банков
2
Профили XMP
 
Описание и технические характеристики Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01) взяты из официальных источников. Компания-производитель в большинстве случаев оставляет за собой право изменять характеристики товара без уведомления, поэтому все важные для Вас параметры уточняйте у продавца перед покупкой. Цена Silicon-Power 4GB SO-DIMM DDR3 PC3-12800 (SP004GBSTU160V01) сформирована автоматически из предложений продавцов.

Отзывы 0

Чтобы оставить свой отзыв Войдите или Зарегистрируйтесь